产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Texas Instruments
产品种类:	MOSFET
RoHS:	详细信息
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	VSON-CLIP-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	25 V
Id-连续漏极电流:	100 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.5 V
Qg-栅极电荷:	21 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	3.2 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	NexFET
系列:	CSD16415Q5
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Texas Instruments
配置:	Single
下降时间:	12.7 ns
正向跨导 - 最小值:	168 S
高度:	1 mm
长度:	6 mm
产品类型:	MOSFET
上升时间:	30 ns
	2500
子类别:	MOSFETs
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	20 ns
典型接通延迟时间:	16.6 ns
宽度:	5 mm
单位重量:	129 mg