产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	8.3 A
Rds On-漏源导通电阻:	29.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	19.2 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	5 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay / Siliconix
下降时间:	4 ns
正向跨导 - 最小值:	49 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6 ns
	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	TrenchFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	19 ns
典型接通延迟时间:	9 ns
单位重量:	750 mg