产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-252-3
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	55 V
Id-连续漏极电流:	31 A
Rds On-漏源导通电阻:	65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	42 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	110 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	63 ns
正向跨导 - 最小值:	8 S
高度:	2.3 mm
长度:	6.5 mm
产品类型:	MOSFET
上升时间:	66 ns
	2000
子类别:	MOSFETs
晶体管类型:	1 P-Channel
类型:	HEXFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	39 ns
典型接通延迟时间:	14 ns
宽度:	6.22 mm
单位重量:	330 mg